该研究由曹玉良教授和方永金教授(武汉大学化学与分子科学学院)领导。实验通过对高度结晶的Na 2 NiFe(CN) 6(表示为NaNiHCF)进行氨蚀刻来激活钠存储位点并加速Na +传输。

然而，合成过程中伴随的Fe(CN) 6空位和晶格中的水分子导致电化学性能较差。因此，优化PBA的晶体结构以提高其电化学性能是目前PBA研究的热点。毫无疑问，合成过程中伴随的水分子和Fe(CN) 6空位对PBA的电化学性能有很大影响。此外，由于表面积和Na +扩散路径的变化，形貌也会影响电化学性能，但很少有工作关注形貌控制。蚀刻是定制 PBA 形貌的有效方法。然而，关于刻蚀对PBA形貌及其结构-组成-性能特性的系统研究却鲜有报道。

在此，对高度结晶的Na 2 NiFe(CN) 6 (表示为NaNiHCF)进行氨蚀刻以激活钠存储位点并加速Na +传输。氨蚀刻导致立方体的角逐渐平滑，将它们从标准立方体转变为骰子形状的颗粒。这种增大的表面积有利于改善电解质和电极之间的接触并减少Na +传输的扩散路径。结果，大量的Na+离子可以从PBAs骨架中脱嵌，从而提高比容量。蚀刻3小时的样品(NaNiHCF-3)表现出最高的放电比容量，从NaNiHCF-0前驱体的76.8 mAh g -1增加到83.5 mAh g -1，并且具有优异的循环稳定性，1000次后容量保持率为94% 1 C循环。氨蚀刻被证明是通过调节NaNiHCF的形貌来增强PBA电化学性能的有效方法。

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